Bu dosya Wikimedia Commons deposunda bulunmaktadır ve diğer projeler tarafından kullanılıyor olabilir.
Aşağıda dosya açıklama sayfasındaki açıklama gösteriliyor.
Özet
AçıklamaGraphene - Geim - ambipolar FET.svg
English: When the gate voltage in a field effect graphene device is changed from positive to negative, conduction switches from electrons to holes. The charge carrier concentration is proportional to the applied voltage. Graphene is neutral at zero gate voltage and resistivity is at its maximum because of the dearth of charge carriers. The rapid fall of resistivity when carriers are injected shows their high mobility, here of the order of 5000 cm²/Vs. (n-Si/SiO₂ substrate, T=1K) After Geim and Novoselov arXiv:cond-mat/0702595
atıf – Esere yazar veya lisans sahibi tarafından belirtilen (ancak sizi ya da eseri kullanımınızı desteklediklerini ileri sürmeyecek bir) şekilde atıfta bulunmalısınız.
benzer paylaşım – Maddeyi yeniden düzenler, dönüştürür veya inşa ederseniz, katkılarınızı özgünüyle aynı veya uyumlu lisans altında dağıtmanız gerekir.
Bu dosyada, muhtemelen fotoğraf makinesi ya da tarayıcı tarafından eklenmiş ek bilgiler mevcuttur. Eğer dosyada sonradan değişiklik yapıldıysa, bazı bilgiler yeni değişikliğe göre eski kalmış olabilir.